内容摘要：三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的认证测试，将用于下一代AI加速器的关键内存栈。该产品采用12层堆叠设计，单颗容量达36GB，数据传输速率高达9.6Gbps，相比上一代HBM3

存通 来源：三星官方新闻 通过优化热管理工艺和先进的过英工作硅通孔技术，相比上一代HBM3能效提升约20%。伟达预计下半年搭载于H200及后续GPU中。认证HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，加速将用于下一代AI加速器的负载关键内存栈。单颗容量达36GB，部署该产品采用12层堆叠设计，存通数据传输速率高达9.6Gbps，过英工作此举将打破SK海力士在HBM市场的伟达垄断格局，显著降低延迟。认证三星表示，加速为全球AI芯片供应链提供更多选择。负载三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的部署认证测试，业内分析认为，存通目前三星已开始向英伟达批量供货，